Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPB100N04S3-03
- ipb100n04s3.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB09N03LA
- ipb09n03la
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1642pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB093N04L G
- ipb093n04l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB09N03LAT
- ipb09n03lat
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1642pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB09N03LA G
- ipb09n03la.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1642pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB096N03L G
- ipb096n03l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB090N06N3 G
- ipb090n06n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB08CNE8N G
- ipb08cne8n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 99nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 95A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6690pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB083N10N3 G
- ipb083n10n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 73A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3980pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB08CN10N G
- ipb08cn10n.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB081N06L3 G
- ipb081n06l3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB085N06L G
- ipb085n06l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 80A.10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB080N06N G
- ipb080n06n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB080N03L G
- ipb080n03l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB075N04L G
- ipb075n04l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB070N06L G
- ipb070n06l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 126nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB06N03LA G
- ipb06n03la.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2653pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB06N03LB
- ipb06n03lb
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2782pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB06N03LAT
- ipb06n03lat
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2653pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB06N03LB G
- ipb06n03lb.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2782pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК