Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPB120N06S4-H1
- ipb120n06s4.h1
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB120N06S4-02
- ipb120n06s4.02
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB120N06S4-03
- ipb120n06s4.03
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB11N03LA G
- ipb11n03la.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1358pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB120N06N G
- ipb120n06n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB120N04S3-02
- ipb120n04s3.02
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB11N03LA
- ipb11n03la
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1358pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB114N03L G
- ipb114n03l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB10N03LB G
- ipb10n03lb.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1639pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB110N06L G
- ipb110n06l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 78A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 79nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB10N03LB
- ipb10n03lb
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1639pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB100N10S3-05
- ipb100n10s3.05
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 176nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 115
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB108N15N3 G
- ipb108n15n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB107N20N3 G
- ipb107n20n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB100N08S2L-07
- ipb100n08s2l.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB100N06S3L-04
- ipb100n06s3l.04
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 362nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 17270pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB100N08S2-07
- ipb100n08s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB100N06S3-03
- ipb100n06s3.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 480nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21620pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB100N06S3L-03
- ipb100n06s3l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 550nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2624
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB100N06S3-04
- ipb100n06s3.04
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 314nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14230pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК