Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для HUF76439S3S

HUF76439S3S

  • huf76439s3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2745pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76437S3S

HUF76437S3S

  • huf76437s3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 71A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 71A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2230pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76432P3

HUF76432P3

  • huf76432p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 59A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1765pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76429S3ST

HUF76429S3ST

  • huf76429s3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 47A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76429S3S

HUF76429S3S

  • huf76429s3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 47A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76429P3

HUF76429P3

  • huf76429p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 47A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76429D3S

HUF76429D3S

  • huf76429d3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76429D3ST

HUF76429D3ST

  • huf76429d3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76423D3S

HUF76423D3S

  • huf76423d3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76423P3

HUF76423P3

  • huf76423p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76419S3S

HUF76419S3S

  • huf76419s3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76423D3

HUF76423D3

  • huf76423d3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76419S3ST

HUF76419S3ST

  • huf76419s3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76419P3

HUF76419P3

  • huf76419p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76419D3

HUF76419D3

  • huf76419d3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76419D3ST

HUF76419D3ST

  • huf76419d3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76407P3

HUF76407P3

  • huf76407p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76407D3ST

HUF76407D3ST

  • huf76407d3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76407D3

HUF76407D3

  • huf76407d3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF76407D3S

HUF76407D3S

  • huf76407d3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь