Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
HUF75645P3
- huf75645p3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 238nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3790p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75645S3S
- huf75645s3s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 238nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3790pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75639S3S
- huf75639s3s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75637S3ST
- huf75637s3st
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75637S3S
- huf75637s3s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75637P3
- huf75637p3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF76013P3
- huf76013p3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 624pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF76013D3ST
- huf76013d3st
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 20A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 624pF @ 20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF76013D3S
- huf76013d3s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 20A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 624pF @ 20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF76009D3ST
- huf76009d3st
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 20A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75939P3
- huf75939p3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 22A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75925D3ST
- huf75925d3st
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 11A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75852G3
- huf75852g3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 480nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7690pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75842S3ST
- huf75842s3st
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75842S3S
- huf75842s3s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75842P3
- huf75842p3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75831SK8T
- huf75831sk8t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1175pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75829D3ST
- huf75829d3st
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 18A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75829D3S
- huf75829d3s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 18A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF75829D3
- huf75829d3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 18A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК