Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQP30N06L

FQP30N06L

  • fqp30n06l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP20N06TSTU

FQP20N06TSTU

  • fqp20n06tstu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP30N06

FQP30N06

  • fqp30n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 945pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP2N90

FQP2N90

  • fqp2n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP2P25

FQP2P25

  • fqp2p25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP2N80

FQP2N80

  • fqp2n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP2N60C

FQP2N60C

  • fqp2n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP2N60

FQP2N60

  • fqp2n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP2N50

FQP2N50

  • fqp2n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP2N30

FQP2N30

  • fqp2n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP2N40

FQP2N40

  • fqp2n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP27P06

FQP27P06

  • fqp27p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 27A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP27N25

FQP27N25

  • fqp27n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP24N08

FQP24N08

  • fqp24n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 24A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP22N30

FQP22N30

  • fqp22n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 21A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP22P10

FQP22P10

  • fqp22p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 22A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP20N06

FQP20N06

  • fqp20n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP20N06L

FQP20N06L

  • fqp20n06l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 21A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP1P50

FQP1P50

  • fqp1p50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 750mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP1N60

FQP1N60

  • fqp1n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь