Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQP1N50

FQP1N50

  • fqp1n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 700mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP19N20

FQP19N20

  • fqp19n20
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 9.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP19N10L

FQP19N10L

  • fqp19n10l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 19A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP19N20L

FQP19N20L

  • fqp19n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 21A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP19N20CTSTU

FQP19N20CTSTU

  • fqp19n20ctstu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP19N20C

FQP19N20C

  • fqp19n20c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP19N10

FQP19N10

  • fqp19n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 19A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP18N50V2

FQP18N50V2

  • fqp18n50v2
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP18N20V2

FQP18N20V2

  • fqp18n20v2
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP17P10

FQP17P10

  • fqp17p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 8.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP17P06

FQP17P06

  • fqp17p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 17A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 8.5A,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP17N40

FQP17N40

  • fqp17n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 16A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP16N15

FQP16N15

  • fqp16n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP17N08

FQP17N08

  • fqp17n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 8.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP16N25C

FQP16N25C

  • fqp16n25c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP17N08L

FQP17N08L

  • fqp17n08l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP16N25

FQP16N25

  • fqp16n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP15P12

FQP15P12

  • fqp15p12
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 120V 15A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 120V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP12P20

FQP12P20

  • fqp12p20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 5.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP13N50

FQP13N50

  • fqp13n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 6.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь