Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Всего товаров: 539
PN4117A
- pn4117a
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 3pF @ 10V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PN4117
- pn4117
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 3pF @ 10V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PN4093
- pn4093
- Fairchild Semiconductor, Farchild
- JFET SWITCH N-CHAN TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 80 Ohm · Тип монтажа: T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PN4091
- pn4091
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PN4092
- pn4092
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ620,115
- pmbfj620.115
- NXP Semiconductors
- JFET N-CHAN DUAL 25V SOT363 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивлени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ310,215
- pmbfj310.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On):
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ308,215
- pmbfj308.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (O
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ309,215
- pmbfj309.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 30MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (O
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ177,215
- pmbfj177.215
- NXP Semiconductors
- JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ176,215
- pmbfj176.215
- NXP Semiconductors
- JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ175,215
- pmbfj175.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 30V 30MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ174,215
- pmbfj174.215
- NXP Semiconductors
- JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ113,215
- pmbfj113.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 2MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ111,215
- pmbfj111.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 20MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ112,215
- pmbfj112.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 5MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ110,215
- pmbfj110.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBFJ109,215
- pmbfj109.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBF4393,215
- pmbf4393.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 5MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBF4392,215
- pmbf4392.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 25MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Тип монтажа: Поверхно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.
Применение
JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
- Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.
Совместимость
JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.
Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК