Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Всего товаров: 539

TIS74

  • tis74
  • Fairchild Semiconductor
  • JFET N-CHANNEL TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF256TH-4-TL-H

  • tf256th.4.tl.h
  • ON Semiconductor
  • N-Channel JFET for Electret Condenser Microphone Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF256TH-5-TL-H

  • tf256th.5.tl.h
  • ON Semiconductor
  • N-Channel JFET for Electret Condenser Microphone Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF256-5-TL-H

  • tf256.5.tl.h
  • ON Semiconductor
  • N-Channel JFET for Electret Condenser Microphone Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF256-4-TL-H

  • tf256.4.tl.h
  • ON Semiconductor
  • N-Channel JFET for Electret Condenser Microphone Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF252TH-4-TL-H

  • tf252th.4.tl.h
  • ON Semiconductor
  • JFET ELECTRET CONDENSER

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF252-5-TL-H

  • tf252.5.tl.h
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF252-4-TL-H

  • tf252.4.tl.h
  • ON Semiconductor
  • N-Channel JFET for Electret Condenser Microphone Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF202THC-5-TL-H

  • tf202thc.5.tl.h
  • ON Semiconductor
  • JFET ELECTRET CONDENSER

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF202THC-4-TL-H

  • tf202thc.4.tl.h
  • ON Semiconductor
  • JFET ELECTRET CONDENSER

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TF202THC-3-TL-H

  • tf202thc.3.tl.h
  • ON Semiconductor
  • JFET ELECTRET CONDENSER

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TIS75_D75Z

  • tis75.d75z
  • Fairchild Semiconductor
  • JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип мон

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TIS75_D26Z

  • tis75.d26z
  • Fairchild Semiconductor
  • JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип мон

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SST5486-T1-E3

  • sst5486.t1.e3
  • Vishay/Siliconix
  • N-Kanal Feldeffekttransistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SST5486-E3

  • sst5486.e3
  • Vishay/Siliconix
  • N-Kanal Feldeffekttransistor Lose

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SST5485-T1-E3

  • sst5485.t1.e3
  • Vishay/Siliconix
  • N-Kanal Feldeffekttransistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SST5485-E3

  • sst5485.e3
  • Vishay/Siliconix
  • N-Kanal Feldeffekttransistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SST5461-T1-E3

  • sst5461.t1.e3
  • Vishay/Siliconix
  • P-KANAL FELDEFFEKTTRANSISTOR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SST4416-T1-E3

  • sst4416.t1.e3
  • Vishay/Siliconix
  • SMD N-KANAL FELDEFFEKTTRANSISTOR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SST4118-T1-E3

  • sst4118.t1.e3
  • Vishay/Siliconix
  • JFET 70V 80uA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.

Применение

JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
  • Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.

Совместимость

JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.

Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь