Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SMA5118
- sma5118
- ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
- N-channel 3-phase DC motor 200V AC direct drive External dimensions
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UP04979G0L
- up04979g0l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N+P 50V .1A SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V, 30V · Ток @ 25°C: 100mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UP04878G0L
- up04878g0l
- Panasonic - SSG
- MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UM6J1NTN
- um6j1ntn
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TT8K2TR
- tt8k2tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 180pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCP8401(TE85L,F)
- tpcp8401.te85l.f
- Toshiba
- MOSFET N/P-CH 20V 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 12В · Ток @ 25°C: 100mA, 5.5A · Емкость @ Vds: 9.3pF @ 3V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Пове
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCP8302(TE85L,F)
- tpcp8302.te85l.f
- Toshiba
- MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 2.5A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCP8203(TE85L,F)
- tpcp8203.te85l.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH DUAL 40V 4.7A 2-3V1K Напряжение (Vdss): 40В · Ток @ 25°C: 4.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 2-3V1K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCP8201(TE85L,F)
- tpcp8201.te85l.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 7.2A 2-3V1K Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCF8402(TE85L,F,M
- tpcf8402.te85l.f.m
- Toshiba
- MOSFET N/P-CH 30V 2-3U1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A, 3.2A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8405(TE12L,Q,M)
- tpc8405.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET N/P-CH 30V SOP8 2-6J1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 4.5A · Емкость @ Vds: 1240pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8213-H(TE12LQ,M
- tpc8213.h.te12lq.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH DUAL 60V 5A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 625pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8212-H(TE12LQ,M
- tpc8212.h.te12lq.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 840pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8211(TE12L,Q,M)
- tpc8211.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1250pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8208(TE12L,Q,M)
- tpc8208.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH DUAL 20V 5A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 780pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB914DK-T1-GE3
- sib914dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DL 1.2V PWRPK SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 125pF @ 4V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB911DK-T1-GE3
- sib911dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL P-CH 20V PPAK SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 8V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 115pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA917DJ-T1-GE3
- sia917dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 250pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA914DJ-T1-GE3
- sia914dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 400pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA913DJ-T1-GE3
- sia913dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DL 12V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 400pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК