Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SIA912DJ-T1-GE3
- sia912dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 400pF @ 6V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA911EDJ-T1-GE3
- sia911edj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 8V · Ток @ 25°C: 3.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA513DJ-T1-GE3
- sia513dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A, 3.3A · Емкость @ Vds: 360pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA511DJ-T1-GE3
- sia511dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.5A, 4.3A · Емкость @ Vds: 400pF @ 6V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9933CDY-T1-GE3
- si9933cdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 665pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9926CDY-T1-GE3
- si9926cdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 1200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7994DP-T1-GE3
- si7994dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Ток @ 25°C: 20A · Емкость @ Vds: 3500pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7980DP-T1-GE3
- si7980dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.8A, 11A · Емкость @ Vds: 1010pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7960DP-T1-GE3
- si7960dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7958DP-T1-GE3
- si7958dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7948DP-T1-GE3
- si7948dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7945DP-T1-GE3
- si7945dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7942DP-T1-GE3
- si7942dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.8A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7940DP-T1-GE3
- si7940dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7922DN-T1-GE3
- si7922dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.8A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7913DN-T1-GE3
- si7913dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7905DN-T1-GE3
- si7905dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DL 40V PWRPAK 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 880pF @ 20V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7904BDN-T1-GE3
- si7904bdn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 8V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 860pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7844DP-T1-GE3
- si7844dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7842DP-T1-GE3
- si7842dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК