Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SIF902EDZ-T1-E3
- sif902edz.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 2X5 6-POWERPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIF912EDZ-T1-E3
- sif912edz.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB911DK-T1-E3
- sib911dk.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V PWRPAK SC75-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 8V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 115pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Ста
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA914DJ-T1-E3
- sia914dj.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOFSET DUAL N-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 400pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA911DJ-T1-E3
- sia911dj.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 8V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 355pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Ста
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9955DY
- si9955dy
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 345pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9945AEY-T1
- si9945aey.t1
- SILICONIX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9936DY,518
- si9936dy.518
- NXP Semiconductors
- TRANS N-CH 30V 5A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9936DY
- si9936dy
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 525pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9936BDY-T1-E3
- si9936bdy.t1.e3
- VISHAY
- DUAL N-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9933BDY-T1-E3
- si9933bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9934BDY-T1-E3
- si9934bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.8A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9926BDY-T1-E3
- si9926bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8904EDB-T2-E1
- si8904edb.t2.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH BIDIR 30V 2X3 6-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 3.8A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8902EDB-T2-E1
- si8902edb.t2.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 3.9A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8901EDB-T2-E1
- si8901edb.t2.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 3.5A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8900EDB-T2-E1
- si8900edb.t2.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 5.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7983DP-T1-E3
- si7983dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 20V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 4.5A · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.7A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК