Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
STS3C2F100
- sts3c2f100
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHAN 100V 3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 460pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS2DPF80
- sts2dpf80
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH DUAL 80V 2.3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 739pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS2DNF30L
- sts2dnf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V 3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 121pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS1DNC45
- sts1dnc45
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 400mA · Емкость @ Vds: 160pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS1DN45K3
- sts1dn45k3
- ST MICRO
- 1875
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL40DN3LLH5
- stl40dn3llh5
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC6NF30V
- stc6nf30v
- STMicroelectronics
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 2.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC5NF30V
- stc5nf30v
- STMicroelectronics
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC5NF20V
- stc5nf20v
- STMicroelectronics
- MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC5DNF30V
- stc5dnf30v
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSD2007ATF
- ssd2007atf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSD2025TF
- ssd2025tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSD2009ATF
- ssd2009atf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSD2007ASTF
- ssd2007astf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQ9945AEY-T1-E3
- sq9945aey.t1.e3
- VISHAY
- N-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SLA5064
- sla5064
- ALLEGRO
- 3-Phase Motor Driver
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SLA5059
- sla5059
- ALLEGRO
- 3-Phase Motor Driver
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК