Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Всего товаров: 66
CMLT5087EM TR PBFREE
- cmlt5087em.tr.pbfree
- Central Semiconductor
- Транзистор: TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDT2227Q-7-F
- mmdt2227q.7.f
- Diodes Incorporated
- Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDT2227A_R1_00001
- mmdt2227a.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCM846BS-7
- bcm846bs.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMMT3904W_R1_00001
- dmmt3904w.r1.00001
- PANJIT
- Транзистор: MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDT3946-7R-F
- mmdt3946.7r.f
- Diodes Incorporated
- Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы биполярных транзисторов (BJT) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти массивы могут включать как транзисторы одного типа (все NPN или PNP), так и комбинации NPN и PNP. Они предназначены для упрощения схемотехники, экономии пространства на плате и улучшения производительности за счёт согласованности характеристик транзисторов внутри массива.
Ключевые характеристики массивов биполярных транзисторов включают:
- коллектор-эмиттерное напряжение (Vceo). Максимальное напряжение, которое транзисторы могут выдержать между коллектором и эмиттером;
- ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который могут пропустить транзисторы;
- коэффициент усиления по току (hFE или β). Отношение тока коллектора к току базы для транзисторов в массиве;
- напряжение насыщения (Vce(sat)). Напряжение между коллектором и эмиттером при полной насыщенности транзистора и максимальном токе коллектора.
Применение массивов биполярных транзисторов
Массивы BJT (биполярных переходных транзисторов) являются важными компонентами в мире электроники, предоставляя гибкие решения для управления и обработки сигналов в различных приложениях. В цифровой логике эти массивы используются как переключатели или буферы, обеспечивая необходимую функциональность для управления логическими операциями и обработки данных в цифровых схемах.
В области управления нагрузкой BJT применяются для управления различными типами нагрузок, такими как светодиоды, маломощные моторы или другие устройства, позволяя контролировать их работу с высокой точностью и эффективностью. В аналоговых схемах массивы BJT находят применение в усилителях и генераторах сигналов, где они используются для усиления или генерации аналоговых сигналов, обеспечивая при этом высокую точность и стабильность процессов.
В интерфейсных схемах эти транзисторы играют ключевую роль в согласовании уровней напряжения между различными частями электронной системы, обеспечивая надежную и эффективную передачу сигналов между компонентами с различными электрическими характеристиками.
Интеграция и использование
При интеграции массивов BJT в электронные устройства важно учитывать их электрические характеристики и совместимость с другими компонентами схемы. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как транзисторы в массиве могут генерировать значительное количество тепла при проведении тока.
Также важно учитывать логику управления транзисторами в массиве и обеспечить соответствующее смещение для каждого транзистора, чтобы достичь желаемого режима работы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК