Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Всего товаров: 66

BC847BS-QF

  • bc847bs.qf
  • Nexperia USA Inc.
  • Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CMKT3906 TR PBFREE

  • cmkt3906.tr.pbfree
  • Central Semiconductor
  • Транзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSV60101DMR6T1G

  • nsv60101dmr6t1g
  • onsemi
  • Транзистор: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC856AQ-7-F

  • bc856aq.7.f
  • Diodes Incorporated
  • GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N2920U

  • 2n2920u
  • Microchip Technology, MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • Транзистор: PNP TRANSISTOR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CMLT2907A BK PBFREE

  • cmlt2907a.bk.pbfree
  • Central Semiconductor Corp
  • Транзистор: TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TPQ6002

  • tpq6002
  • Sprague Electric Co, ETC1 [List of Unclassifed Manufacturers]
  • TPQ QUAD TRANSISTOR ARRAYS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
23
Уже в корзине

IMZ1AS-AU_S1_000A1

  • imz1as.au.s1.000a1
  • Panjit International Inc.
  • Транзистор: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HBDM60V600X-7

  • hbdm60v600x.7
  • Diodes Incorporated
  • Транзистор: FUNCTIONAL ARRAY SOT363 T&R 3K

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC847BPN-QH

  • bc847bpn.qh
  • NEXPERIA
  • Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC847BSQ-7-F

  • bc847bsq.7.f
  • Diodes Incorporated, Diodes
  • Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC847BSHE3-TP

  • bc847bshe3.tp
  • Micro Commercial Co
  • Транзистор: DUAL NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC857CS_R1_00001

  • bc857cs.r1.00001
  • Panjit International Inc.
  • Транзистор: PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBSS4160DSZ

  • pbss4160dsz
  • Nexperia USA Inc.
  • Транзистор: TRANS 2NPN 60V 1A SC-74

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC817DS-25_R1_00001

  • bc817ds.25.r1.00001
  • Panjit International Inc.
  • Транзистор: DUAL NPN GENERAL PURPOSE TRANSIS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CMLT2222AG BK PBFREE

  • cmlt2222ag.bk.pbfree
  • Central Semiconductor Corp
  • Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMDT3904TB6_R1_00001

  • mmdt3904tb6.r1.00001
  • Panjit International Inc.
  • Транзистор: DUAL NPN GENERAL PURPOSE SWITCHI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC846APN_R1_00001

  • bc846apn.r1.00001
  • Panjit International Inc.
  • Транзистор: DUAL SURFACE MOUNT NPN/PNP TRANS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC846BPN_R1_00001

  • bc846bpn.r1.00001
  • Panjit International Inc.
  • Транзистор: DUAL SURFACE MOUNT NPN/PNP TRANS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMDT3904Q-7-F

  • mmdt3904q.7.f
  • Diodes Incorporated
  • Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Массивы биполярных транзисторов (BJT) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти массивы могут включать как транзисторы одного типа (все NPN или PNP), так и комбинации NPN и PNP. Они предназначены для упрощения схемотехники, экономии пространства на плате и улучшения производительности за счёт согласованности характеристик транзисторов внутри массива.

Ключевые характеристики массивов биполярных транзисторов включают:

  • коллектор-эмиттерное напряжение (Vceo). Максимальное напряжение, которое транзисторы могут выдержать между коллектором и эмиттером;
  • ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который могут пропустить транзисторы;
  • коэффициент усиления по току (hFE или β). Отношение тока коллектора к току базы для транзисторов в массиве;
  • напряжение насыщения (Vce(sat)). Напряжение между коллектором и эмиттером при полной насыщенности транзистора и максимальном токе коллектора.

Применение массивов биполярных транзисторов

Массивы BJT (биполярных переходных транзисторов) являются важными компонентами в мире электроники, предоставляя гибкие решения для управления и обработки сигналов в различных приложениях. В цифровой логике эти массивы используются как переключатели или буферы, обеспечивая необходимую функциональность для управления логическими операциями и обработки данных в цифровых схемах.

В области управления нагрузкой BJT применяются для управления различными типами нагрузок, такими как светодиоды, маломощные моторы или другие устройства, позволяя контролировать их работу с высокой точностью и эффективностью. В аналоговых схемах массивы BJT находят применение в усилителях и генераторах сигналов, где они используются для усиления или генерации аналоговых сигналов, обеспечивая при этом высокую точность и стабильность процессов.

В интерфейсных схемах эти транзисторы играют ключевую роль в согласовании уровней напряжения между различными частями электронной системы, обеспечивая надежную и эффективную передачу сигналов между компонентами с различными электрическими характеристиками.

Интеграция и использование

При интеграции массивов BJT в электронные устройства важно учитывать их электрические характеристики и совместимость с другими компонентами схемы. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как транзисторы в массиве могут генерировать значительное количество тепла при проведении тока.

Также важно учитывать логику управления транзисторами в массиве и обеспечить соответствующее смещение для каждого транзистора, чтобы достичь желаемого режима работы.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь