Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Всего товаров: 103

ADTC114EUAQ-13

  • adtc114euaq.13
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTA114ECAQ-7-F

  • ddta114ecaq.7.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTD143ECT116

  • dtd143ect116
  • Rohm Semiconductor, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTD123TCHZGT116

  • dtd123tchzgt116
  • Rohm Co Ltd, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
267
Уже в корзине

DTB143ECT116

  • dtb143ect116
  • Rohm Semiconductor, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTB113ECT116

  • dtb113ect116
  • Rohm Semiconductor, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTC114YUF

  • pdtc114yuf
  • Nexperia USA Inc.

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTC143ZCAHZGT116

  • dtc143zcahzgt116
  • Rohm Semiconductor, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN2424(TE85L,F)

  • rn2424.te85l.f
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTA114ECAQ-13-F

  • ddta114ecaq.13.f
  • Diodes Incorporated, DIODES INC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTA114EU3T106

  • dta114eu3t106
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN2104MFV,L3F

  • rn2104mfv.l3f
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1106MFV,L3F

  • rn1106mfv.l3f
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN2107,LF(CT

  • rn2107.lf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN2107MFV,L3F

  • rn2107mfv.l3f
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTD114ECT116

  • dtd114ect116
  • Rohm Semiconductor, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1109MFV,L3F

  • rn1109mfv.l3f
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTA143EU3T106

  • dta143eu3t106
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTC143EU3T106

  • dtc143eu3t106
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1117MFV,L3F

  • rn1117mfv.l3f
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Одиночные биполярные транзисторы (BJT) с интегрированными резисторами представляют собой устройства, которые включают в себя не только сам транзистор, но и один или несколько резисторов в одном корпусе. Эти резисторы могут быть подключены к базе, эмиттеру или коллектору для обеспечения удобства смещения, установления рабочих точек или улучшения устойчивости работы транзистора.

Ключевые характеристики включают:

  • коллектор-эмиттерное напряжение (Vceo). Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером;
  • ток коллектора (Ic): Максимальный ток, который может протекать через коллектор;
  • коэффициент усиления по току (hFE или β). Соотношение между током коллектора и током базы;
  • сопротивление резисторов. Значения резисторов, включенных в корпус с транзистором.

Применение одиночных BJT с резисторами

Транзисторы могут значительно упрощать схемы и сокращать количество необходимых внешних компонентов благодаря своей функциональности и гибкости. В цифровых схемах они используются как переключатели, управляющие логическими уровнями, что позволяет строить эффективные логические вентили и схемы управления. В усилительных каскадах, как в аудио, так и в RF усилителях, транзисторы обеспечивают стабильное смещение, что критически важно для обеспечения линейности усиления и минимизации искажений.

В защитных схемах транзисторы используются для ограничения тока и защиты устройств от перегрузок, предотвращая повреждение ценных компонентов и увеличивая надежность и долговечность устройств. В интерфейсных цепях транзисторы позволяют подключать различные электронные устройства и системы, обеспечивая необходимые уровни смещения и импеданса для корректной работы системы, что улучшает совместимость и функциональность разнообразных электронных компонентов.

Интеграция и использование

При использовании BJT с интегрированными резисторами важно учитывать их характеристики и правильно подключать в схеме, обеспечивая необходимые уровни смещения и работу в нужной рабочей точке. Необходимо также учитывать рассеиваемую мощность и тепловой режим, чтобы избежать перегрева и повреждения транзистора. Использование таких транзисторов позволяет уменьшить размер печатной платы и количество компонентов, упрощая сборку и повышая надежность электронных устройств.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь