Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
PJX8603_R1_00001
- pjx8603.r1.00001
- PanJit Semiconductor
- Транзистор: COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA923EDJ-T4-GE3
- sia923edj.t4.ge3
- Vishay Semiconductors
- Транзистор: MOSFET P-CH 20V SC-70-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJX8601_R1_00001
- pjx8601.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC2991UDJ-7B
- dmc2991udj.7b
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT963 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3401LDWQ-7
- dmn3401ldwq.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3025LDV-7
- dmc3025ldv.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3025LDV-13
- dmc3025ldv.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJS6839_S1_00001
- pjs6839.s1.00001
- PanJit Semiconductor
- Транзистор: 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ570EP-T1_BE3
- sqj570ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIL2324A-TP
- sil2324a.tp
- Micro Commercial Co
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8M21HZGTB
- sp8m21hzgtb
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 45V DUAL NCH+PCH POWER MOSFET. S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMPH6050SSD-13
- dmph6050ssd.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSC017SMA120B4
- msc017sma120b4
- Microchip Technology
- MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9K35-60RAX
- buk9k35.60rax
- Nexperia USA Inc.
- Транзистор: BUK9K35-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2024UFU-7
- dmn2024ufu.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT3020LFDBQ-7
- dmt3020lfdbq.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM6N39TU,LF
- ssm6n39tu.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJX8806_R1_00001
- pjx8806.r1.00001
- Panjit International Inc., PANJIT [Pan Jit International Inc.]
- Транзистор: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002DWK-13
- 2n7002dwk.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: 2N7002 FAMILY SOT363 T&R 10K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM120AM042CT6LIAG
- mscsm120am042ct6liag
- Microchip Technology
- Транзистор: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК