Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
SQJB46ELP-T1_BE3
- sqjb46elp.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJX8807_R1_00001
- pjx8807.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFD5C674NLT1G
- ntmfd5c674nlt1g
- onsemi
- Транзистор: T6 60V LL S08FL DS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJB44EP-T1_GE3
- sqjb44ep.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CAB008M12GM3
- cab008m12gm3
- Wolfspeed, Inc.
- Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CAB008A12GM3
- cab008a12gm3
- Wolfspeed, Inc.
- Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE, ALN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM120AM11CT3AG
- mscsm120am11ct3ag
- Microchip Technology
- Транзистор: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM120AM08CT3AG
- mscsm120am08ct3ag
- Microchip Technology
- Транзистор: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2008LFU-13
- dmn2008lfu.13
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- Транзистор: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AOTS32338C
- aots32338c
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- Транзистор: MOSFET 2N-CH 6-TSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SH8K25GZ0TB1
- sh8k25gz0tb1
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GE12047CCA3
- ge12047cca3
- GE Aerospace
- Транзистор: 1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EAB450M12XM3
- eab450m12xm3
- Wolfspeed, Inc.
- Транзистор: 450A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT3020LDV-13
- dmt3020ldv.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTND31225CZTAG
- ntnd31225cztag
- onsemi, ONSEMI [ON Semiconductor]
- Транзистор: MOSFET DUAL 20V XLLGA6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2065UFDB-13
- dmp2065ufdb.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 P-CH 4.5A UDFN2020-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3055LFDB-7
- dmn3055lfdb.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT3020LFDB-13
- dmt3020lfdb.13
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- Транзистор: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AOE6932
- aoe6932
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, AOSMD [Alpha & Omega Semiconductors]
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1023UVQ-13
- dmg1023uvq.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК