Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
IAUC26N10S5L245ATMA1
- iauc26n10s5l245atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUZ40N06S5N105ATMA1
- iauz40n06s5n105atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQP13N50C-G
- fqp13n50c.g
- onsemi
- N-CHANNEL QFET MOSFET 500V, 13A,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP32D9UFO-7B
- dmp32d9ufo.7b
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA1R4N100PTRL
- ixta1r4n100ptrl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA140P05T-TRL
- ixta140p05t.trl
- IXYS
- IXTA140P05T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT24N90P-TRL
- ixft24n90p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 24A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHD14N60ET1-GE3
- sihd14n60et1.ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCG55P02A-TP
- mcg55p02a.tp
- Micro Commercial Co
- P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH4M95SPS-13
- dmth4m95sps.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP31D7LFB-7B
- dmp31d7lfb.7b
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUA180N10S5N029AUMA1
- iaua180n10s5n029auma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA180N10T7-TRL
- ixta180n10t7.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10078BFLLG
- apt10078bfllg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA90N20X3-TRL
- ixfa90n20x3.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA05N100-TRL
- ixta05n100.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT6025BVRG
- apt6025bvrg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTBLS001N06C
- ntbls001n06c
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM6K809R,LF
- ssm6k809r.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4C06NAT3G
- ntmfs4c06nat3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК