Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
TW060N120C,S1F
- tw060n120c.s1f
- Toshiba Semiconductor and Storage
- G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TW083N65C,S1F
- tw083n65c.s1f
- Toshiba Semiconductor and Storage
- G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IQE050N08NM5CGATMA1
- iqe050n08nm5cgatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TW015N65C,S1F
- tw015n65c.s1f
- Toshiba
- G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TW030N120C,S1F
- tw030n120c.s1f
- Toshiba Semiconductor and Storage
- G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TW140N120C,S1F
- tw140n120c.s1f
- Toshiba Semiconductor and Storage
- G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TW107N65C,S1F
- tw107n65c.s1f
- Toshiba
- G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10M07JVFR
- apt10m07jvfr
- Microsemi Corporation, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G45P02D3
- g45p02d3
- Goford Semiconductor
- P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT11P50-TRL
- ixtt11p50.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK4D38-20PX
- buk4d38.20px
- Nexperia USA Inc.
- SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8350LET40
- fdms8350let40
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTH4L027N65S3F
- nth4l027n65s3f
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMPB07R0UNAX
- pmpb07r0unax
- Nexperia USA Inc.
- SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMP075N15NS1_T0_00601
- psmp075n15ns1.t0.00601
- Panjit International Inc.
- 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW75N60M6
- stw75n60m6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISP20EP10LMXTSA1
- isp20ep10lmxtsa1
- Infineon Technologies
- SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G1006LE
- g1006le
- Goford Semiconductor
- N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20M34BLLG
- apt20m34bllg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 74A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6011ENXC7G
- r6011enxc7g
- Rohm Semiconductor
- 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК