Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
03N06L
- 03n06l
- Goford Semiconductor
- N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA2R4N120P-TRL
- ixta2r4n120p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ140ELP-T1_GE3
- sqj140elp.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY08N100P-TRL
- ixty08n100p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVH4L020N090SC1
- nvh4l020n090sc1
- onsemi
- SIC MOSFET 900V TO247-4L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6024KNXC7G
- r6024knxc7g
- Rohm Semiconductor
- 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT4013DRC15
- sct4013drc15
- Rohm Semiconductor
- 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIDR570EP-T1-RE3
- sidr570ep.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3483CDV-T1-BE3
- si3483cdv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJL9436A1_R2_00001
- pjl9436a1.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW1NA60_R2_00001
- pjw1na60.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 600V N-CHANNEL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP6N40D-BE3
- sihp6n40d.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 400V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA4N100P-TRL
- ixfa4n100p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002HV-TP
- 2n7002hv.tp
- Micro Commercial Co
- N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP052N60EF-GE3
- sihp052n60ef.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET EF SERIES TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR872ADP-T1-RE3
- sir872adp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP11N60S5XKSA1
- spp11n60s5xksa1
- Infineon Technologies
- LOW POWER_LEGACY
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002CK
- 2n7002ck
- Nexperia USA Inc., NXP [NXP Semiconductors]
- 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AUIRLR3915TRL
- auirlr3915trl
- Infineon Technologies, International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RV2C010UNM60T2L1
- rv2c010unm60t2l1
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК