Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
SI3499DV-T1-BE3
- si3499dv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G26P04K
- g26p04k
- Goford Semiconductor
- P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN8R5-100PSFQ
- psmn8r5.100psfq
- NXP Semiconductors
- NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN8R5-100ESFQ
- psmn8r5.100esfq
- NXP Semiconductors
- NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN018-100ESFQ
- psmn018.100esfq
- NXP Semiconductors
- NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPTG018N10NM5ATMA1
- iptg018n10nm5atma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002LT1H
- 2n7002lt1h
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP22N60EL-GE3
- sihp22n60el.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138LT7G
- bss138lt7g
- onsemi
- MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH140N075L2
- ixth140n075l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 140A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUA210N10S5N024AUMA1
- iaua210n10s5n024auma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK7E80W,S1X
- tk7e80w.s1x
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4153DY-T1-GE3
- si4153dy.t1.ge3
- Vishay / Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2305CDS-T1-BE3
- si2305cds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA230N075T2-TRL
- ixta230n075t2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4402P_R2_00001
- pjq4402p.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4410P_R2_00001
- pjq4410p.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4408P-AU_R2_000A1
- pjq4408p.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHG11N80E-GE3
- sihg11n80e.ge3
- Vishay / Siliconix
- MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G02P06
- g02p06
- Goford Semiconductor
- P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК