Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
SQS840EN-T1_BE3
- sqs840en.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN53D0LT-7
- dmn53d0lt.7
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- DIODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9237-55A/C1,118
- buk9237.55a.c1.118
- NXP USA Inc., NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 32A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C404NAFT1G
- nvmfs5c404naft1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
- iauz40n06s5l050atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS070P05HZGTB
- rss070p05hzgtb
- Rohm Semiconductor
- PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP4A57E6QTA
- zxmp4a57e6qta
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5C410NT3G
- ntmfs5c410nt3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT3004LFG-13
- dmt3004lfg.13
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPTG018N08NM5ATMA1
- iptg018n08nm5atma1
- Infineon Technologies
- TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMNH6008SCT
- dmnh6008sct
- DIODES INCORPORATED, DIODES [Diodes Incorporated]
- MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISC080N10NM6ATMA1
- isc080n10nm6atma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA30N25L2
- ixta30n25l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 30A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SISS588DN-T1-GE3
- siss588dn.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG2307LQ-7
- dmg2307lq.7
- DIODES INCORPORATED, DIODES [Diodes Incorporated]
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM70N900CH C5G
- tsm70n900ch.c5g
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2312BDS-T1-BE3
- si2312bds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN21D2UFB-7
- dmn21d2ufb.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3350-TL-H
- cph3350.tl.h
- onsemi, SANYO [Sanyo Semicon Device]
- SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFP22N65X2M
- ixfp22n65x2m
- IXYS, IXYS [IXYS Corporation]
- MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК