Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
NVMFS5C410NLAFT1G
- nvmfs5c410nlaft1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5C406NLT1G
- ntmfs5c406nlt1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C406NLWFT1G
- nvmfs5c406nlwft1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN1R5-50YLHX
- psmn1r5.50ylhx
- Nexperia USA Inc.
- PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G10N10A
- g10n10a
- Goford Semiconductor
- N100V,RD(MAX)130mOHM@10V,TO-252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW90R120C3XKSA1
- ipw90r120c3xksa1
- Infineon Technologies
- Транзистор: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQA410CEJW-T1_GE3
- sqa410cejw.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQ2364EES-T1_BE3
- sq2364ees.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2323DS-T1-BE3
- si2323ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVTFS027N10MCLTAG
- nvtfs027n10mcltag
- onsemi
- PTNG 100V LL U8FL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUA250N04S6N006AUMA1
- iaua250n04s6n006auma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM35N10CP ROG
- tsm35n10cp.rog
- Taiwan Semiconductor Corporation, Taiwan Semiconductor
- MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY18P10T-TRL
- ixty18p10t.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9120PBF-BE3
- irfr9120pbf.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 100V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA110N15T2-TRL
- ixfa110n15t2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA3N150HV-TRL
- ixta3n150hv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ2405_R1_00001
- pjq2405.r1.00001
- Panjit International Inc.
- 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y7R0-60ELX
- buk9y7r0.60elx
- Nexperia USA Inc.
- SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y8R8-60ELX
- buk9y8r8.60elx
- Nexperia USA Inc.
- SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y13-60ELX
- buk9y13.60elx
- Nexperia USA Inc.
- SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК