Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
94-3316
- 94.3316
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTPF190N65S3HF
- ntpf190n65s3hf
- ONSEMI
- MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJA3403_R1_00001
- pja3403.r1.00001
- PanJit Semiconductor
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2328DS-T1-BE3
- si2328ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IV1Q12050T3
- iv1q12050t3
- Inventchip
- SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ423EP-T1_BE3
- sqj423ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSC080SMA330B4
- msc080sma330b4
- MICROCHIP
- MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW65R080CFDFKSA1
- ipw65r080cfdfksa1
- INFINEON
- MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2369DS-T1-BE3
- si2369ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT2080KEGC11
- sct2080kegc11
- Rohm Semiconductor
- DIODE N-CH 1200V 40A TO-247AC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IV1Q12050T4
- iv1q12050t4
- Inventchip
- SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IV1Q12160T4
- iv1q12160t4
- Inventchip
- SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AON6414G
- aon6414g
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA60N20X4
- ixta60n20x4
- Littelfuse Inc.
- MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF150P221AKMA1
- irf150p221akma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFJ80N25X3
- ixfj80n25x3
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GPIHV30SB5L
- gpihv30sb5l
- GaNPower
- GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GPI65008DF56
- gpi65008df56
- GaNPower
- GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2347DS-T1-BE3
- si2347ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH2N300P3HV
- ixth2n300p3hv
- Littelfuse Inc.
- MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК