Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
G26P04D5
- g26p04d5
- Goford Semiconductor
- P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB024N10N5ATMA1
- ipb024n10n5atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB025N10N3GE8187ATMA1
- ipb025n10n3ge8187atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP8N70X2M
- ixtp8n70x2m
- IXYS
- MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVD5C446NT4G
- nvd5c446nt4g
- onsemi
- MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IQE008N03LM5CGATMA1
- iqe008n03lm5cgatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMCPB5530X
- pmcpb5530x
- NXP USA Inc., NXP
- NOW NEXPERIA PMCPB5530X - SMALL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RV5A040APTCR1
- rv5a040aptcr1
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD80N240K6
- std80n240k6
- STMicroelectronics
- N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10M25BVRG
- apt10m25bvrg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISP16DP10LMXTSA1
- isp16dp10lmxtsa1
- Infineon Technologies
- SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIDR622DP-T1-RE3
- sidr622dp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB7D3N15MC
- ntb7d3n15mc
- onsemi
- NTB7D3N15MC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AOTS32334C
- aots32334c
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ459EP-T2_BE3
- sqj459ep.t2.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHFR9310TRR-GE3
- sihfr9310trr.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CHANNEL 400V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJL9433A_R2_00001
- pjl9433a.r2.00001
- Panjit
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ459EP-T1_BE3
- sqj459ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHFR9310TRL-GE3
- sihfr9310trl.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CHANNEL 400V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPH3207WS
- tph3207ws
- Transphorm
- GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК