Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
TPH3206LS
- tph3206ls
- Transphorm
- GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP64N10L2
- ixtp64n10l2
- Littelfuse Inc.
- MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD8880-G
- fdd8880.g
- onsemi
- 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R075CPAFKSA1
- ipw60r075cpafksa1
- Infineon Technologies
- AUTOMOTIVE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVTFWS015P03P8ZTAG
- nvtfws015p03p8ztag
- onsemi
- PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2366DS-T1-BE3
- si2366ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50R950CEBTMA1
- ipd50r950cebtma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCG25P06Y-TP
- mcg25p06y.tp
- Micro Commercial Co
- P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS2D3P04M8LT1G
- nvmfs2d3p04m8lt1g
- onsemi
- MV8 P INITIAL PROGRAM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM60NB380CF C0G
- tsm60nb380cf.c0g
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 600V 11A ITO220S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT039N15N5ATMA1
- ipt039n15n5atma1
- Infineon Technologies
- OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STH200N10WF7-2
- sth200n10wf7.2
- STMicroelectronics
- N-CHANNEL 100 V, 4.8 MOHM TYP.,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT65R040CFD7XTMA1
- ipt65r040cfd7xtma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCMN2012A-TP
- mcmn2012a.tp
- Micro Commercial Co
- N-CHANNEL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSC180SMA120B
- msc180sma120b
- MICROCHIP (MICROSEMI)
- MOSFET 1200V 25A TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT2280KEGC11
- sct2280kegc11
- Rohm Semiconductor
- 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB160N04S2L03ATMA2
- ipb160n04s2l03atma2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2333CDS-T1-BE3
- si2333cds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW3P10A_R2_00001
- pjw3p10a.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y12-55B/C3X
- buk9y12.55b.c3x
- Nexperia USA Inc.
- MOSFET N-CH 55V LFPAK56
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК