Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
IPW90R120C3FKSA1
- ipw90r120c3fksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 COO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3812-ZP-E1-AZ
- 2sk3812.zp.e1.az
- Renesas Electronics Corporation, NEC ELECTRONICS INC
- MP-25LZP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHB22N60EL-GE3
- sihb22n60el.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD60R520C6BTMA1
- ipd60r520c6btma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AONS21303C
- aons21303c
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV15ENER
- pmv15ener
- Nexperia USA Inc.
- PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUC90N10S5N062ATMA1
- iauc90n10s5n062atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2225-80-E#T2
- 2sk2225.80.e.t2
- Renesas Electronics Corporation
- Транзистор: ABU / MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M173K0T3
- p3m173k0t3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IQE065N10NM5CGATMA1
- iqe065n10nm5cgatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M171K0T3
- p3m171k0t3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 6A TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM10N954L,EFF
- ssm10n954l.eff
- Toshiba Semiconductor and Storage
- COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVTFS015P03P8ZTAG
- nvtfs015p03p8ztag
- onsemi
- PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM6K810R,LXHF
- ssm6k810r.lxhf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM6K819R,LXHF
- ssm6k819r.lxhf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD65R1K5CEAUMA1
- ipd65r1k5ceauma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHB33N60ET5-GE3
- sihb33n60et5.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G01N20LE
- g01n20le
- Goford Semiconductor
- N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS3D5N08LC
- fdms3d5n08lc
- onsemi
- MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT52N10D5
- gt52n10d5
- Goford Semiconductor
- N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК