Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
TP65H150G4LSG-TR
- tp65h150g4lsg.tr
- Transphorm
- 650 V 13 A GAN FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NVMTS0D7N06CTXG
- nvmts0d7n06ctxg
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NVMTS1D6N10MCTXG
- nvmts1d6n10mctxg
- onsemi
- PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRFR9220PBF-BE3
- irfr9220pbf.be3
- Vishay Semiconductors
- P-CHANNEL 200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIHFR9220-GE3
- sihfr9220.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CHANNEL 200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRFR220TRPBF-BE3
- irfr220trpbf.be3
- Vishay Semiconductors
- N-CHANNEL 200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRFR220PBF-BE3
- irfr220pbf.be3
- Vishay Semiconductors
- N-CHANNEL 200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NTMTS1D6N10MCTXG
- ntmts1d6n10mctxg
- onsemi
- SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPD048N06L3GATMA1
- ipd048n06l3gatma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GT55N06D5
- gt55n06d5
- Goford Semiconductor
- N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK10A80W,S4X
- tk10a80w.s4x
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TSM2N7002AKCX RFG
- tsm2n7002akcx.rfg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Транзистор: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPB60R045P7ATMA1
- ipb60r045p7atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPT65R033G7XTMA1
- ipt65r033g7xtma1
- Infineon Technologies AG
- MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIHK045N60E-T1-GE3
- sihk045n60e.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AOT2142L
- aot2142l
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AUIRFSA8409-7TRL
- auirfsa8409.7trl
- Infineon Technologies, INFINEON [Infineon Technologies AG]
- MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SI2101A-TP
- si2101a.tp
- Micro Commercial Co
- P-CHANNEL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SQJ409EP-T2_GE3
- sqj409ep.t2.ge3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SQM50N04-4M0L_GE3
- sqm50n04.4m0l.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК