Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
NVMTS1D2N08H
- nvmts1d2n08h
- onsemi
- MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG4496SSSQ-13
- dmg4496sssq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
C3M0040120J1-TR
- c3m0040120j1.tr
- Wolfspeed, Inc.
- 1200V 40 M SIC MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFY8N65X2
- ixfy8n65x2
- IXYS, IXYS [IXYS Corporation]
- MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR4606DP-T1-GE3
- sir4606dp.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPH9R00CQH,LQ
- tph9r00cqh.lq
- Toshiba Semiconductor and Storage
- UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP6185SE-7
- dmp6185se.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF76639S3ST-F085
- huf76639s3st.f085
- Fairchild Semiconductor
- HUF76639 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHFR120-GE3
- sihfr120.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CHANNEL 100V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR586DP-T1-RE3
- sir586dp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6673BZ-G
- fds6673bz.g
- onsemi
- -30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5C426NT3G
- ntmfs5c426nt3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTBS2D7N06M7
- ntbs2d7n06m7
- onsemi
- POWER MOSFET, N-CHANNEL, STANDAR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P1H06300D8
- p1h06300d8
- PN Junction Semiconductor
- GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IGLD60R190D1SAUMA1
- igld60r190d1sauma1
- Infineon Technologies
- GAN HV PG-LSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TP65H050G4BS
- tp65h050g4bs
- Transphorm
- 650 V 34 A GAN FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GPI65015DFN
- gpi65015dfn
- GaNPower
- GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GP2T080A120U
- gp2t080a120u
- SemiQ
- SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
YJL2304A-F2-0100HF
- yjl2304a.f2.0100hf
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJC7403_R1_00001
- pjc7403.r1.00001
- Panjit International Inc.
- 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК