Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
IMZA65R083M1HXKSA1
- imza65r083m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMW65R083M1HXKSA1
- imw65r083m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
C3M0015065K
- c3m0015065k
- Wolfspeed, Inc.
- SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF150P220AKMA1
- irf150p220akma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4401P-AU_R2_000A1
- pjq4401p.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EPC2066
- epc2066
- EPC
- TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
C3M0060065K
- c3m0060065k
- Wolfspeed, Inc.
- SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002HWX
- 2n7002hwx
- Nexperia USA Inc.
- Транзистор: 2N7002HW/SOT323/SC-70
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EPC2071
- epc2071
- EPC
- TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJA3435_R1_00001
- pja3435.r1.00001
- PanJit Semiconductor
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
C3M0045065J1
- c3m0045065j1
- Wolfspeed, Inc.
- 650V 45 M SIC MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXN4R7-30QLJ
- pxn4r7.30qlj
- Nexperia USA Inc.
- PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH60N20X4
- ixth60n20x4
- Littelfuse Inc.
- MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EPC2302ENGRT
- epc2302engrt
- EPC
- TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2302CDS-T1-BE3
- si2302cds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3460BDV-T1-BE3
- si3460bdv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CMS25N03V8A-HF
- cms25n03v8a.hf
- Comchip Technology
- MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G65P06D5
- g65p06d5
- Goford Semiconductor
- P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TP65H015G5WS
- tp65h015g5ws
- Transphorm
- 650 V 95 A GAN FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GPI65005DF
- gpi65005df
- GaNPower
- GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК