Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
PJD15P06A_L2_00001
- pjd15p06a.l2.00001
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EPC2050
- epc2050
- EPC
- TRANS GAN BUMPED DIE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW5P06A_R2_00001
- pjw5p06a.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G65P06K
- g65p06k
- Goford Semiconductor
- P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EPC2302
- epc2302
- EPC
- TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP31D7L-7
- dmp31d7l.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHA24N65EF-E3
- siha24n65ef.e3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHA25N60EFL-E3
- siha25n60efl.e3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RQ3L070ATTB
- rq3l070attb
- Rohm Semiconductor
- PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUC100N10S5L040ATMA1
- iauc100n10s5l040atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002HSX
- 2n7002hsx
- Nexperia USA Inc.
- Транзистор: 2N7002HS/SOT363/SC-88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2301H
- 2301h
- Goford Semiconductor
- P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3415A
- 3415a
- Goford Semiconductor
- P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G3035
- g3035
- Goford Semiconductor
- P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK16A60W,S4X
- tk16a60w.s4x
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA65R190CFDXKSA1
- ipa65r190cfdxksa1
- INFINEON, INFINEON [Infineon Technologies AG]
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RS1L151ATTB1
- rs1l151attb1
- Rohm Semiconductor
- PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RQ3G110ATTB
- rq3g110attb
- Rohm Semiconductor
- PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ5465A_R2_00001
- pjq5465a.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3401
- 3401
- Goford Semiconductor, Heyco
- MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК