Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
PBR941,215
- pbr941.215
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR NPN UHF 50MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 360mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBR941B,215
- pbr941b.215
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 10V 50mA 360mW 100 9GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSVF2250WT1G
- nsvf2250wt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSVF2250WT1
- nsvf2250wt1
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG270034-T1-AZ
- nesg270034.t1.az
- NEC
- TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9.2V · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V · Ток коллектора (макс): 750mA · Тип монтажа: Поверхностны
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG250134-T1-AZ
- nesg250134.t1.az
- NEC
- TRANS NPN 900MHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9.2V · Модуляция частот: 10GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG260234-T1-AZ
- nesg260234.t1.az
- NEC
- TRANS NPN 460MHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9.2V · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V · Ток коллектора (макс): 600mA · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG2107M33-T3-A
- nesg2107m33.t3.a
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 20GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 7dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG2107M33-A
- nesg2107m33.a
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 20GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 7dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG2101M05-A
- nesg2101m05.a
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ M05 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 17GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Mi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG2046M33-T3-A
- nesg2046m33.t3.a
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 18GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 9.5dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG2046M33-A
- nesg2046m33.a
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 18GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 9.5dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG2030M04-T2-A
- nesg2030m04.t2.a
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 16GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 80mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NESG2030M04-A
- nesg2030m04.a
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 16GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 80mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE97833-T1B-A
- ne97833.t1b.a
- NEC
- TRANS PNP 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE97833-A
- ne97833.a
- NEC
- TRANS PNP 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE97733-T1B-A
- ne97733.t1b.a
- NEC
- TRANS PNP 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 3dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE94433-T1B-A
- ne94433.t1b.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE97733-A
- ne97733.a
- NEC
- TRANS PNP 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 3dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE94433-T1B
- ne94433.t1b
- NEC
- TRANS NPN OSC FT=2GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК