Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
START499D
- start499d
- STMicroelectronics
- TRANS RF NPN 4.5V 1A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 1.7Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 160mA, 3V · Ток коллектора (макс): 1A · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
START499ETR
- start499etr
- STMicroelectronics
- TRANS RF SILICON NPN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 1.9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
START405TR
- start405tr
- STMicroelectronics
- TRANS RF NPN SILICON SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 17.4dB · Мощность макcимальная: 45mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SS9018HBU
- ss9018hbu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 97 @ 1mA, 5V · Ток коллектора (макс): 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SS9018GBU
- ss9018gbu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 72 @ 1mA, 5V · Ток коллектора (макс): 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SS9018FBU
- ss9018fbu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 54 @ 1mA, 5V · Ток коллектора (макс): 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1731
- sd1731
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN RF HF SSB M174 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 233W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1726
- sd1726
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN RF HF SSB M174 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V · Усиление: 14dB · Мощность макcимальная: 318W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1728
- sd1728
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN RF HF SSB M177 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V · Усиление: 15dB ~ 17dB · Мощность макcимальная: 330W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 23 @ 10A, 6V · Ток коллектора (макс): 40A · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1727
- sd1727
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN RF HF SSB M164 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V · Усиление: 14dB · Мощность макcимальная: 233W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V · Ток коллектора (макс): 10A · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1488
- sd1488
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN RF BIPO VHF 6LEAD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Модуляция частот: 470MHz · Усиление: 5.8dB · Мощность макcимальная: 117Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V · Ток колл
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1477
- sd1477
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN RF BIPO VHF 6LEAD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Усиление: 6dB · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1446
- sd1446
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN RF BIPO UHF M113 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 183W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V · Ток коллектора (макс): 12A · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1433
- sd1433
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN RF UHF 4LEAD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Модуляция частот: 450MHz ~ 512MHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 58W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V · Ток колл
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1405
- sd1405
- STMicroelectronics
- TRANS NPN RF MCRWAVE HF SSB M174 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1275
- sd1275
- STMicroelectronics
- TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M135 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1275-01
- sd1275.01
- STMicroelectronics
- TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD1274-01
- sd1274.01
- STMicroelectronics
- TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК