Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
NE68530-T1
- ne68530.t1
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68530-A
- ne68530.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (h
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68519-T1-A
- ne68519.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68518-A
- ne68518.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68519-T1
- ne68519.t1
- NEC
- TRANS NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Mi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68519-A
- ne68519.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 2GHZ SC-90 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (h
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68518-T1-A
- ne68518.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE681M13-A
- ne681m13.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ M13 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 140mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE681M03-A
- ne681m03.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ SC-90 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE681M03-T1-A
- ne681m03.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ SC-90 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68139R-T1
- ne68139r.t1
- NEC
- TRANS NPN 1GHZ SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68139R-T1-A
- ne68139r.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68139-T1-A
- ne68139.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68139-T1
- ne68139.t1
- NEC
- TRANS NPN 1GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68139-A
- ne68139.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68133-T1B-R35-A
- ne68133.t1b.r35.a
- CEL
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon AMP Oscilltr Transist
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68133-T1B-R34-A
- ne68133.t1b.r34.a
- CEL
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon AMP Oscilltr Transist
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68133-A
- ne68133.a
- NEC
- TRANS NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Mi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68133-T1B-A
- ne68133.t1b.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE68133-T1B-R33-A
- ne68133.t1b.r33.a
- CEL
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon AMP Oscilltr Transist
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК