Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Высокочастотные биполярные транзисторы

Всего товаров: 1247

Изображения для NE68030-A

NE68030-A

  • ne68030.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 12.5dB ~ 5.3dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE68019-T1-A

NE68019-T1-A

  • ne68019.t1.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.6dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пос

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE68019-A

NE68019-A

  • ne68019.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ 3-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.6dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление п

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE68018-T1-A

NE68018-T1-A

  • ne68018.t1.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 2GHz · Усиление: 12.5dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE68019-T1

NE68019-T1

  • ne68019.t1
  • NEC
  • TRANS NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.6dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояно

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE68018-A

NE68018-A

  • ne68018.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 2GHz · Усиление: 12.5dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE678M04-T2-A

NE678M04-T2-A

  • ne678m04.t2.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 205mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE677M04-T2-A

NE677M04-T2-A

  • ne677m04.t2.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 205mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE678M04-A

NE678M04-A

  • ne678m04.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 205mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE677M04-A

NE677M04-A

  • ne677m04.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 205mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE664M04-T2-A

NE664M04-T2-A

  • ne664m04.t2.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 20GHz · Усиление: 12dB · Мощность макcимальная: 735mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE664M04-A

NE664M04-A

  • ne664m04.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 20GHz · Усиление: 12dB · Мощность макcимальная: 735mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE663M04-T2-A

NE663M04-T2-A

  • ne663m04.t2.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.3V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 2GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 190mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE663M04-A

NE663M04-A

  • ne663m04.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.3V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 2GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 190mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE662M04-T2-A

NE662M04-T2-A

  • ne662m04.t2.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.3V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 115mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE662M04-A

NE662M04-A

  • ne662m04.a
  • NEC
  • TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.3V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 115mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE66219-T1-A

NE66219-T1-A

  • ne66219.t1.a
  • CEL
  • РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN High Frequency

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE66219-A

NE66219-A

  • ne66219.a
  • CEL
  • РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN High Frequency

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE58219-T1-A

NE58219-T1-A

  • ne58219.t1.a
  • NEC
  • TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 60mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE52418-T1-A

NE52418-T1-A

  • ne52418.t1.a
  • NEC
  • IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 14dB ~ 16dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.

Применение

Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.

Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.

Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь