Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
MPS3563G
- mps3563g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN RF SS 12V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 1.5GHz · Тип транзистора: NPN · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MPS3563
- mps3563
- ON Semiconductor
- TRANS NPN RF SS 12V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 1.5GHz · Тип транзистора: NPN · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH81
- mmbth81
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF PNP SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH81_D87Z
- mmbth81.d87z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS RF PNP 20V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH24-7-F
- mmbth24.7.f
- Diodes Inc
- TRANS NPN 40V 50MA SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH34
- mmbth34
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 500MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 50mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH24-7
- mmbth24.7
- Diodes Inc
- TRANS NPN VHF/UHF 40V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH24
- mmbth24
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH11
- mmbth11
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10RG
- mmbth10rg
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 450MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10LT3G
- mmbth10lt3g
- ON Semiconductor
- TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10M3T5G
- mmbth10m3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT-723 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 640mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10-7
- mmbth10.7
- Diodes Inc
- TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10LT1
- mmbth10lt1
- ON Semiconductor
- TRANS SS VHF NPN 25V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10-7-F
- mmbth10.7.f
- Diodes Inc
- TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10LT1G
- mmbth10lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Тип монтажа: Поверхностн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10-4LT1G
- mmbth10.4lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 800MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10-4LT1
- mmbth10.4lt1
- ON Semiconductor
- TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Тип монтажа: Поверхностный м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBTH10
- mmbth10
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBT918LT1G
- mmbt918lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS SS VHF NPN 15V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 11dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Mi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК