Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
MMBT918
- mmbt918
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBT918LT1
- mmbt918lt1
- ON Semiconductor
- TRANS SS VHF NPN 15V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 11dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Mi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBT5770
- mmbt5770
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Mi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBT5179
- mmbt5179
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MDS150
- mds150
- MICROSEMI
- 55AW-1/BIPOLAR/LDMOSTRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH4016-TL-H
- mch4016.tl.h
- ON Semiconductor
- РЧ-транзисторы, биполярные HIGH-FREQUENCY TR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH4015-TL-H
- mch4015.tl.h
- ON Semiconductor
- РЧ-транзисторы, биполярные HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH4014-TL-H
- mch4014.tl.h
- ON Semiconductor
- РЧ-транзисторы, биполярные HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH4009-TL-H
- mch4009.tl.h
- OnSemiconductor
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MBC13900T1
- mbc13900t1
- Freescale Semiconductor
- IC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6.5V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 1.9GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 188mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MBC13900NT1
- mbc13900nt1
- Freescale Semiconductor
- TRANS RF NPN LO NOISE SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6.5V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 1.9GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 188mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAX2601ESA+
- max2601esa
- Maxim Integrated Products
- IC RF TRANS 1W 900MHZ 8SOIC Частота: 900MHz · Сфера применения: Сотовая связь, GSM · Протокол модуляции: FM, FSK · Мощность выходная: 1Вт · Интерфейс данных: PCB, Surface Mount · Вход для антенны: PCB, Surface Mount · Напряжение питания: 4.8V · Рабочая те
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAX2601ESA+T
- max2601esa.t
- Maxim Integrated Products
- IC RF TRANS 1W 900MHZ 8SOIC Частота: 900MHz · Сфера применения: Сотовая связь, GSM · Протокол модуляции: FM, FSK · Мощность выходная: 1Вт · Интерфейс данных: PCB, Surface Mount · Вход для антенны: PCB, Surface Mount · Напряжение питания: 4.8V · Рабочая те
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAX2602ESA
- max2602esa
- Maxim Integrated Products
- РЧ-транзисторы, биполярные 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAPRST0912-50
- maprst0912.50
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAPR-002731-115M00
- mapr.002731.115m00
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAPRST0912-350
- maprst0912.350
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAPR-002729-170M00
- mapr.002729.170m00
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.7-2.9GHz Gain8.5dB 170W VSWR: 2.1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAPR-000912-500S00
- mapr.000912.500s00
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MPSH81_D27Z
- mpsh81.d27z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS RF PNP 20V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК