Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
2SC5096-R,LF
- 2sc5096.r.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS RF NPN 10V 1GHz SSM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5096-O,LF
- 2sc5096.o.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5066-O,LF
- 2sc5066.o.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP843H6327XTSA1
- bfp843h6327xtsa1
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP843FH6327XTSA1
- bfp843fh6327xtsa1
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MT3S20P(TE12L,F)
- mt3s20p.te12l.f
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4915-Y,LF
- 2sc4915.y.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS RF NPN 30V 550MHZ SSM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5085-O(TE85L,F)
- 2sc5085.o.te85l.f
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HN3C10FUTE85LF
- hn3c10fute85lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANSISTOR NPN US6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 840ESD H6327
- bfp.840esd.h6327
- Infineon Technologies
- IC TRANSISTOR RF NPN SOT343-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4915-O,LF
- 2sc4915.o.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS RF NPN 30V 550MHZ SSM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5065-O(TE85L,F)
- 2sc5065.o.te85l.f
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 840FESD H6327
- bfp.840fesd.h6327
- Infineon Technologies
- IC TRANSISTOR RF NPN TSFP-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 842ESD H6327
- bfp.842esd.h6327
- Infineon Technologies
- IC TRANSISTOR RF NPN SOT343
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP760H6327XTSA1
- bfp760h6327xtsa1
- Infineon Technologies
- РЧ-транзисторы, биполярные RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU768F,115
- bfu768f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ-транзисторы, биполярные 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1978-T1B-A
- 2sa1978.t1b.a
- CEL
- Биполярные транзисторы - BJT PNP High Frequency
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5754-T2-A
- 2sc5754.t2.a
- CEL
- Биполярные транзисторы - BJT NPN High Frequency
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4957-T1-A
- 2sc4957.t1.a
- CEL
- Биполярные транзисторы - BJT NPN High Frequency
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5012-T1-A
- 2sc5012.t1.a
- CEL
- Биполярные транзисторы - BJT NPN High Frequency
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК