Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
2SC4215-Y(TE85L,F)
- 2sc4215.y.te85l.f
- Toshiba
- Биполярные транзисторы - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC5010-T1-A
- 2sc5010.t1.a
- CEL
- Биполярные транзисторы - BJT NPN High Frequency
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC5065-Y(TE85L,F)
- 2sc5065.y.te85l.f
- Toshiba
- Биполярные транзисторы - BJT Radio-Freq Bipolar 30mA 100mW 12V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC5085-Y(TE85L,F)
- 2sc5085.y.te85l.f
- Toshiba
- Биполярные транзисторы - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 100mW 12V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MMBTH10-TP
- mmbth10.tp
- Micro Commercial Components (MCC)
- РЧ-транзисторы, биполярные 225mW, 25V,50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DSC9F0100L
- dsc9f0100l
- Panasonic
- Биполярные транзисторы - BJT Bipolar Power Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC5536A-TL-H
- 2sc5536a.tl.h
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC5490A-TL-H
- 2sc5490a.tl.h
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 30MA 10V FT=8G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC5231A-9-TL-E
- 2sc5231a.9.tl.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=7G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC4853A-4-TL-E
- 2sc4853a.4.tl.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 15MA 5V FT=5G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC5646A-TL-H
- 2sc5646a.tl.h
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FH105A-TR-E
- fh105a.tr.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT NPN+NPN 30MA 10V FT=8G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BFU580GX
- bfu580gx
- NXP Semiconductors
- РЧ-транзисторы, биполярные Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BFU580QX
- bfu580qx
- NXP Semiconductors
- РЧ-транзисторы, биполярные Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BFU590GX
- bfu590gx
- NXP Semiconductors
- РЧ-транзисторы, биполярные Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC2714-Y(TE85L,F)
- 2sc2714.y.te85l.f
- Toshiba
- Биполярные транзисторы - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BFU520YX
- bfu520yx
- NXP Semiconductors
- РЧ-транзисторы, биполярные Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MT3S16U(TE85L,F)
- mt3s16u.te85l.f
- Toshiba
- РЧ-транзисторы, биполярные RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC2714-O(TE85L,F)
- 2sc2714.o.te85l.f
- Toshiba
- РЧ-транзисторы, биполярные RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SC5066-Y(T5L,F,T)
- 2sc5066.y.t5l.f.t
- Toshiba
- РЧ-транзисторы, биполярные RF Device VHF/UHF 12V 100mW 12dB 7GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК