Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
AT-30511-TR1G
- at.30511.tr1g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 14dB ~ 16dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-30533-BLKG
- at.30533.blkg
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-30511-BLKG
- at.30511.blkg
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 14dB ~ 16dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3357-A
- 2sc3357.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- Microwave devic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
55GN01CA-TB-E
- 55gn01ca.tb.e
- ON Semiconductor
- РЧ-транзисторы, биполярные SWITCHING DEVICE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4774T106S
- 2sc4774t106s
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN 6V 50MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 800MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4713KT146S
- 2sc4713kt146s
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN 6V 50MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 800MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4618TLP
- 2sc4618tlp
- Rohm Semiconductor
- TRANS RF NPN 25V 50MA SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 300MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4618TLN
- 2sc4618tln
- Rohm Semiconductor
- TRANS RF NPN 25V 50MA SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 300MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4098T106P
- 2sc4098t106p
- Rohm Semiconductor
- TRANS RF NPN 25V 50MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 300MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC563200L
- 2sc563200l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V · Ток коллектора (макс): 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC501900L
- 2sc501900l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN HF 10VCEO 80MA MINIPWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz · Усиление: 7.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC48350RL
- 2sc48350rl
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB @ 800MHz · Усиление: 11dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного ток
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4808J0L
- 2sc4808j0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz · Усиление: 11dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постоян
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4713KT146R
- 2sc4713kt146r
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4655JCL
- 2sc4655jcl
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 20VCEO 30MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 230MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4626JCL
- 2sc4626jcl
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 20VCEO 30MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 250MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.8dB @ 5MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Пов
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4627J0L
- 2sc4627j0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN HF 20VCEO 15MA SS-MINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 650MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC393700L
- 2sc393700l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC393400L
- 2sc393400l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz · Усиление: 9dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК