Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Высокочастотные биполярные транзисторы

Всего товаров: 1247

AT-41586-BLKG

  • at.41586.blkg
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление по

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41533-TR2G

  • at.41533.tr2g
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усил

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41533-TR1

  • at.41533.tr1
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41533-TR1G

  • at.41533.tr1g
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41532-TR2G

  • at.41532.tr2g
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41533-BLKG

  • at.41533.blkg
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усил

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41532-TR1

  • at.41532.tr1
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2.4GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Уси

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41532-TR1G

  • at.41532.tr1g
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41532-BLKG

  • at.41532.blkg
  • Avago Technologies US Inc., Maszczyk
  • TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41511-TR1G

  • at.41511.tr1g
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41511-TR1

  • at.41511.tr1
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41511-TR2G

  • at.41511.tr2g
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Уси

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41511-BLKG

  • at.41511.blkg
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Уси

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41486-TR1G

  • at.41486.tr1g
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление по

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-41435G

  • at.41435g
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 12V 60MA 35-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 18.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-32063-TR2G

  • at.32063.tr2g
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного ток

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-32063-TR1G

  • at.32063.tr1g
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (h

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-32063-TR1

  • at.32063.tr1
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-32033-TR1

  • at.32033.tr1
  • Avago Technologies US Inc.
  • IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AT-32033-TR2G

  • at.32033.tr2g
  • Avago Technologies US Inc.
  • TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.

Применение

Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.

Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.

Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь