Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
NPT2019
- npt2019
- M/A-Com Technology Solutions
- HEMT N-CH 48V 25W DC-6GHZ 14DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP8G20S-80PY
- blp8g20s.80py
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP8G21S-160PVY
- blp8g21s.160pvy
- NXP Semiconductors
- IC TRANS LDMOS 6HSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLM7G24S-30BGY
- blm7g24s.30bgy
- NXP Semiconductors
- IC TRANS LDMOS 16HSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLM7G1822S-40PBY
- blm7g1822s.40pby
- NXP Semiconductors
- IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOPF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLM7G1822S-40PBGY
- blm7g1822s.40pbgy
- NXP Semiconductors
- IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NPT2018
- npt2018
- M/A-Com Technology Solutions
- HEMT NCH 48V 12.5W DC-6GHZ 14DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6VP5150GNR1
- mrfe6vp5150gnr1
- Freescale Semiconductor
- TRANS RF LDMOS 150W TO-270 GW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6VP5150NR1
- mrfe6vp5150nr1
- Freescale Semiconductor
- TRANS RF LDMOS 150W TO-270
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLM7G1822S-20PBY
- blm7g1822s.20pby
- NXP Semiconductors
- IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOPF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLM7G1822S-20PBGY
- blm7g1822s.20pbgy
- NXP Semiconductors
- IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP10H610Z
- blp10h610z
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR DVR LDMOS 10W 12HVSON
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP25M710Z
- blp25m710z
- NXP Semiconductors
- IC TRANS LDMOS 12HVSON
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP10H605Z
- blp10h605z
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR DVR LDMOS 5W 12HVSON
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP25M705Z
- blp25m705z
- NXP Semiconductors
- IC TRANS LDMOS 12HVSON
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP10H603Z
- blp10h603z
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR DVR LDMOS 3W 12HVSON
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3135GN-170M
- 3135gn.170m
- Microsemi Power Products Group
- FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2731GN-200M
- 2731gn.200m
- Microsemi Power Products Group
- FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2729GN-270
- 2729gn.270
- Microsemi Power Products Group
- FET RF N-CH 150V 2.9GHZ 55-QP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2735GN-100M
- 2735gn.100m
- Microsemi Power Products Group
- FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК