Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
3135GN-100M
- 3135gn.100m
- Microsemi Power Products Group
- TRANSISTOR GAN 55-QP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2731GN-110M
- 2731gn.110m
- Microsemi Power Products Group
- FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2729GN-150
- 2729gn.150
- Microsemi Power Products Group
- FET RF N-CH 150V 2.9GHZ 55-QP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2735GN-35M
- 2735gn.35m
- Microsemi Power Products Group
- FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VRF2944MP
- vrf2944mp
- Microsemi Power Products Group
- MOSFET RF N-CH 170V 50A M177
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VRF3933MP
- vrf3933mp
- Microsemi Power Products Group
- MOSFET RF N-CH 250V 20A M177
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VRF191MP
- vrf191mp
- Microsemi Power Products Group
- MOSFET RF N-CH 100V 150W T11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VRF191
- vrf191
- Microsemi Power Products Group
- MOSFET RF N-CH 100V 150W T11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ARF463BG
- arf463bg
- Microsemi Power Products Group
- RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE552R679A-A
- ne552r679a.a
- CEL
- IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5531079A-T1-A
- ne5531079a.t1.a
- CEL
- FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5531079A-T1A-A
- ne5531079a.t1a.a
- CEL
- FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE552R679A-T1A-A
- ne552r679a.t1a.a
- CEL
- IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5550279A-A
- ne5550279a.a
- CEL
- IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3516S02-A
- ne3516s02.a
- CEL
- IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5550279A-T1-A
- ne5550279a.t1.a
- CEL
- IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3517S03-T1C-A
- ne3517s03.t1c.a
- CEL
- DISCRETE RF FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3520S03-T1C-A
- ne3520s03.t1c.a
- CEL
- FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3513M04-A
- ne3513m04.a
- CEL
- IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3513M04-T2-A
- ne3513m04.t2.a
- CEL
- IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК