Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

SD2941-10RW

  • sd2941.10rw
  • STMicroelectronics
  • РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SD2931-11W

  • sd2931.11w
  • STMicroelectronics
  • РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ON5250/A,135

  • on5250.a.135
  • NXP Semiconductors
  • МОП-транзистор ON5250/SOT223/REELLG

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMRF1316NR1

  • mmrf1316nr1
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

A2T26H160-24SR3

  • a2t26h160.24sr3
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2496 - 2690 MHz, 28 W AVG, 28 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT26H250W03SR6

  • aft26h250w03sr6
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMRF1315NR1

  • mmrf1315nr1
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMRF1304GNR1

  • mmrf1304gnr1
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMRF1016HR5

  • mmrf1016hr5
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMRF1308HR5

  • mmrf1308hr5
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMRF1004NR1

  • mmrf1004nr1
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT20P060-4GNR3

  • aft20p060.4gnr3
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMRF1310HR5

  • mmrf1310hr5
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT09MS015NT1

  • aft09ms015nt1
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 136-94 MHz 16W 12.5V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMRF1305HR5

  • mmrf1305hr5
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 1.8-2000 MHz 100 W 50 V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV1F025S

  • cghv1f025s
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 0 TO 18 GHZ SMT HEMT AMPLIFIER

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ARF448AG

  • arf448ag
  • Microsemi
  • РЧ транзисторы, МОП-структура

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

VRF2944

  • vrf2944
  • Microsemi
  • РЧ транзисторы, МОП-структура

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ARF463AG

  • arf463ag
  • Microsemi
  • РЧ транзисторы, МОП-структура

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ARF449BG

  • arf449bg
  • Microsemi
  • РЧ транзисторы, МОП-структура

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь