Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
ARF449AG
- arf449ag
- Microsemi
- РЧ транзисторы, МОП-структура
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFM03U3CT(TE12L)
- rfm03u3ct.te12l
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2.5A 7W 16V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFM12U7X(TE12L,Q)
- rfm12u7x.te12l.q
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFM08U9X(TE12L,Q)
- rfm08u9x.te12l.q
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3075(TE12L,Q)
- 2sk3075.te12l.q
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3476(TE12L,Q)
- 2sk3476.te12l.q
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFM00U7U(TE85L,F)
- rfm00u7u.te85l.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFM04U6P(TE12L,F)
- rfm04u6p.te12l.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3074TE12LF
- 2sk3074te12lf
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4037(TE12L,Q)
- 2sk4037.te12l.q
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3079ATE12LQ
- 2sk3079ate12lq
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFM01U7P(TE12L,F)
- rfm01u7p.te12l.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3756(TE12L,F)
- 2sk3756.te12l.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3078A(TE12L,F)
- 2sk3078a.te12l.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK209-GR(TE85L,F)
- 2sk209.gr.te85l.f
- Toshiba
- JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK209-Y(TE85L,F)
- 2sk209.y.te85l.f
- Toshiba
- JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6H10LS-160,118
- blf6h10ls.160.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 700-1GHz 104V 20dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT18S290-13SR3
- aft18s290.13sr3
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT09S282NR3
- aft09s282nr3
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 900MHZ 80W OM780-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6VP121KHSR5
- mrf6vp121khsr5
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура VHV6 1KW 50V NI1230HS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК