Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
PTFA091201GL V1
- ptfa091201gl.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA082201F V1
- ptfa082201f.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA082201E V4
- ptfa082201e.v4
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA082201E V1
- ptfa082201e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA081501F V1
- ptfa081501f.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA080551F V1
- ptfa080551f.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA041501HL V1
- ptfa041501hl.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA041501GL V1
- ptfa041501gl.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF210451F V1
- ptf210451f.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF210451E V1
- ptf210451e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF141501E V1
- ptf141501e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 1.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6S9200HSR5
- mrfe6s9200hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 58W · Корпус: NI-880S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6S9200HR5
- mrfe6s9200hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 58W · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6S9160HR5
- mrfe6s9160hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6S9135HR5
- mrfe6s9135hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 940MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 39Вт · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6S9130HSR5
- mrfe6s9130hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 27W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6S9130HR5
- mrfe6s9130hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 27W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S38075HSR5
- mrf7s38075hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 3.4GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 2Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S38075HR5
- mrf7s38075hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 3.4GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 2Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S38040HSR5
- mrf7s38040hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 3.4GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 8Вт · Корпус: NI-400S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК