Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF872,112
- blf872.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT800 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: 4-LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF871,112
- blf871.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 89V · Номинал тока: 1.4µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 40В · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF861A,112
- blf861a.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT540A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 150Вт · Корпус: 4-LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-10G,112
- blf6g27.10g.112
- NXP Semiconductors
- IC WIMAX 2.7GHZ 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.5GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3.5A · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT957A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G20-230P
- blf6g20.230p
- NXP Semiconductors
- IC BASESTATION FINAL SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 50Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3230 E6327
- bg.3230.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3123 E6327
- bg.3123.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA, 20mA · Коэффициент шума: 1.8dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 4V · Корпус: SC-70-6,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 999 E6433
- bf.999.e6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 45MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 2040R E6814
- bf.2040r.e6814
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 2040 E6814
- bf.2040.e6814
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 1005SR E6327
- bf.1005sr.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 1005S E6433
- bf.1005s.e6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 1005 E6327
- bf.1005.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ARF460BG
- arf460bg
- Microsemi-PPG
- FET RF N-CH 500V 14A TO247 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 40.68MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 500В · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ARF460AG
- arf460ag
- Microsemi-PPG
- FET RF N-CH 500V 14A TO247 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 40.68MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 500В · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 50mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3SK263-5-TG-E
- 3sk263.5.tg.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 15V 30MA CP4 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2.2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 6V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3737-5-TL-E
- 2sk3737.5.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 15V 30MA MCP Тип транзистора: N-Channel · Частота: 100MHz · Усиление: 35dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2dB · Напряжение - тестовое: 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3557-7-TB-E
- 2sk3557.7.tb.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 15V 50MA CP Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 50mA · Коэффициент шума: 1dB · Ток - тестовый: 1mA · Напряжение - тестовое: 5V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VRF151G
- vrf151g
- Microsemi-PPG
- MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 36A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VRF151
- vrf151
- Microsemi-PPG
- MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 16A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК