Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLS6G2731-120,112
- bls6g2731.120.112
- NXP Semiconductors
- TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS2933-100,112
- bls2933.100.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS MICRO PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6H1214LS-500,11
- bll6h1214ls.500.11
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6H1214L-250,112
- bll6h1214l.250.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 100V 42A 100mOhms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6H1214LS-250,11
- bll6h1214ls.250.11
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 100V 42A 100mOhms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6H1214-500,112
- bll6h1214.500.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS L-BAND RADAR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6H0514L-130,112
- bll6h0514l.130.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 100V 18A 200mOhms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6H0514LS-130,11
- bll6h0514ls.130.11
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 100V 18A 200mOhms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6H0514-25,112
- bll6h0514.25.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR LDMOS DVR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6G1214LS-250,11
- bll6g1214ls.250.11
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL6G1214L-250,112
- bll6g1214l.250.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL1214-35,112
- bll1214.35.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 35Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL1214-250R,112
- bll1214.250r.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS L-BAND RADAR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLL1214-250,112
- bll1214.250.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 45A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 250Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G24LS-200P,112
- blf8g24ls.200p.112
- PhilipsSemiconducto
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G22LS-160BV:11
- blf8g22ls.160bv.11
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 160W LDMOS TRANSISTR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G10LS-160,112
- blf8g10ls.160.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G10LS-160,118
- blf8g10ls.160.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G10L-160,118
- blf8g10l.160.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G10L-160,112
- blf8g10l.160.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК