Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
J211_D74Z
- j211.d74z
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 20mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NPT2010
- npt2010
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- Gallium Nitride 48V, 100W, DC-2.2 GHz HEM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CRF24060FE
- crf24060fe
- Cree Inc
- IC MESFET SIC 60W FLANGED 440193 Тип транзистора: MESFET · Частота: 1.1GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 120V · Номинал тока: 9A · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 48V · P1dB: 60Вт · Корпус: 440193
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CRF24010PE
- crf24010pe
- Cree Inc
- IC MESFET SIC 10W PILL 440196 Тип транзистора: MESFET · Частота: 1.95GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 120V · Номинал тока: 1.8A · Коэффициент шума: 3.1dB · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 48V · P1dB: 2Вт · Корпус: 440196
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CRF24010FE
- crf24010fe
- Cree Inc
- IC MESFET SIC 10W FLANGED 440166 Тип транзистора: MESFET · Частота: 1.95GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 120V · Номинал тока: 1.8A · Коэффициент шума: 3.1dB · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 48V · P1dB: 2Вт · Корпус: 440166
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS83,235
- bss83.235
- NXP Semiconductors
- N-KANAL FELDEFFEKTTRANSISTOR PLASTIK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS83,215
- bss83.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100ВµA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1.5pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLU6H0410L-600P,11
- blu6h0410l.600p.11
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS7G2933S-150,112
- bls7g2933s.150.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS S-BAND RADAR POWER TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G3135S-20,112
- bls6g3135s.20.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS S-BAND RADAR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G3135S-120,112
- bls6g3135s.120.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS S-BAND RADAR LDMSO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G3135-120,112
- bls6g3135.120.112
- NXP Semiconductors
- TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 7.2A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G3135-20,112
- bls6g3135.20.112
- NXP Semiconductors
- TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 2.1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 20Вт · Корпус: SOT-608A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G2933S-130,112
- bls6g2933s.130.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS S-BAND RADAR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G2735LS-30,112
- bls6g2735ls.30.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 60V 580mOhms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G2735L-30,112
- bls6g2735l.30.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 60V 580mOhms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G2731S-130,112
- bls6g2731s.130.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS S-BAND RADAR POWER TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G2731S-120,112
- bls6g2731s.120.112
- NXP Semiconductors
- TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G2731P-200,117
- bls6g2731p.200.117
- NXP Semiconductors
- РЧ-усилитель WBAND 3.1GHz 32V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS6G2731-6G,112
- bls6g2731.6g.112
- NXP Semiconductors
- TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 3.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 6W · Корпус: 3-LDMOST, SOT957C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК