Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF6G27-75,112
- blf6g27.75.112
- NXP Semiconductors
- TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.5GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 9Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27LS-100,112
- blf6g27ls.100.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура WiMAX PWR LDMOS Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27L-40P,118
- blf6g27l.40p.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура POWER LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27L-50BN,112
- blf6g27l.50bn.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 65V 0.25Ohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27L-50BN,118
- blf6g27l.50bn.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 65V 0.25Ohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27LS-100,118
- blf6g27ls.100.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 65V 29A 0.16Ohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27L-40P,112
- blf6g27l.40p.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура POWER LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-45,112
- blf6g27.45.112
- NXP Semiconductors
- IC WIMAX 2.7GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 7Вт · Корпус: SOT-608A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-45,135
- blf6g27.45.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS WIMAX PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-135,112
- blf6g27.135.112
- NXP Semiconductors
- IC WIMAX 2.7GHZ SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.5GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 34A · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 20Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-10,112
- blf6g27.10.112
- NXP Semiconductors
- IC WIMAX 2.7GHZ 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.5GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3.5A · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT957A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-100,112
- blf6g27.100.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-10,118
- blf6g27.10.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-CH 65V 3.5A Trans MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-100,118
- blf6g27.100.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 65V 29A 0.16Ohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G27-10G,118
- blf6g27.10g.118
- NXP Semiconductors
- Transistors de puissance RF MOSFET WIMAX POWER LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G24-180PN,112
- blf6g24.180pn.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G22S-45,112
- blf6g22s.45.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G22LS-40P,118
- blf6g22ls.40p.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура POWER LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G22LS-75,112
- blf6g22ls.75.112
- NXP Semiconductors
- TRANS BASESTATION 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 690mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 17Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF6G22LS-40P,112
- blf6g22ls.40p.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура POWER LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК